SBCW30LT1G
SBCW30LT1G
Osa numero:
SBCW30LT1G
Valmistaja:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Kuvaus:
TRANS PNP 32V 0.1A SOT-23
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
18376 Pieces
Tietolomake:
SBCW30LT1G.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SBCW30LT1G, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SBCW30LT1G sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SBCW30LT1G BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max):32V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
transistori tyyppi:PNP
Toimittaja Device Package:SOT-23-3 (TO-236)
Sarja:-
Virta - Max:300mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:12 Weeks
Valmistajan osanumero:SBCW30LT1G
Taajuus - Siirtyminen:-
Laajennettu kuvaus:Bipolar (BJT) Transistor PNP 32V 100mA 300mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Kuvaus:TRANS PNP 32V 0.1A SOT-23
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:215 @ 2mA, 5V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Nykyinen - Collector (le) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit