Ostaa SGP23N60UFDTU BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SGP23N60UFDTU
- Osa numero:
- SGP23N60UFDTU
- Valmistaja:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Kuvaus:
- IGBT 600V 23A 100W TO220
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19974 Pieces
- Tietolomake:
- 1.SGP23N60UFDTU.pdf2.SGP23N60UFDTU.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SGP23N60UFDTU, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SGP23N60UFDTU sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 600V |
|---|---|
| Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: | 2.6V @ 15V, 12A |
| Testaa kunto: | 300V, 12A, 23 Ohm, 15V |
| Td (päällä / pois) @ 25 ° C: | 17ns/60ns |
| Switching Energy: | 115µJ (on), 135µJ (off) |
| Toimittaja Device Package: | TO-220-3 |
| Sarja: | - |
| Käänteinen Recovery Time (TRR): | 60ns |
| Virta - Max: | 100W |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-220-3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | SGP23N60UFDTU |
| Syötetyyppi: | Standard |
| IGBT Tyyppi: | - |
| Gate Charge: | 49nC |
| Laajennettu kuvaus: | IGBT 600V 23A 100W Through Hole TO-220-3 |
| Kuvaus: | IGBT 600V 23A 100W TO220 |
| Nykyinen - Collector Pulssi (ICM): | 92A |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 23A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SGP23N60UFDTU
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
STGWS38IH130D | STMicroelectronics | IGBT 1300V 55A 180W TO247 | tiedustelu |
 |
APT95GR65JDU60 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | tiedustelu |
 |
SGP23N60UFTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 23A 100W TO220-3 | tiedustelu |
 |
IRG4RC10UDTRP | Infineon Technologies | IGBT 600V 8.5A 38W DPAK | tiedustelu |
 |
IKW30N65NL5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 30A UFAST DIO TO247-3 | tiedustelu |
 |
IXGX50N60C2D1 | IXYS | IGBT 600V 75A 480W TO247 | tiedustelu |
 |
IXYK140N90C3 | IXYS | IGBT 900V 310A 1630W TO264 | tiedustelu |
|
IRGR3B60KD2TRRP | Infineon Technologies | IGBT 600V 7.8A 52W DPAK | tiedustelu |
|
STGWF30NC60S | STMicroelectronics | IGBT 600V 35A 79W TO3P | tiedustelu |
 |
STGD6M65DF2 | STMicroelectronics | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S | tiedustelu |
 |
IRGP4266PBF | Infineon Technologies | IGBT 650V 140A 450W TO247AC | tiedustelu |
|
IRGP30B120KDPBF | Infineon Technologies | IGBT 1200V 60A 300W TO247AC | tiedustelu |
 |
FGA20N120FTDTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 1200V 40A 298W TO3PN | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers