Ostaa SI1422DH-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±8V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | SC-70-6 (SOT-363) |
Sarja: | TrenchFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 26 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
Tehonkulutus (Max): | 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Muut nimet: | SI1422DH-T1-GE3TR SI1422DHT1GE3 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 24 Weeks |
Valmistajan osanumero: | SI1422DH-T1-GE3 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 725pF @ 6V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 8V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 12V 4A (Tc) 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6 (SOT-363) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 12V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
Email: | [email protected] |