Ostaa NTZS3151PT1H BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
NTZS3151PT1H
- Osa numero:
- NTZS3151PT1H
- Valmistaja:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Kuvaus:
- MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18926 Pieces
- Tietolomake:
- NTZS3151PT1H.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä NTZS3151PT1H, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma NTZS3151PT1H sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | SOT-563-6 |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 150 mOhm @ 950mA, 4.5V |
| Tehonkulutus (Max): | 170mW (Ta) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | SOT-563, SOT-666 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 8 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | NTZS3151PT1H |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 458pF @ 16V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 5.6nC @ 4.5V |
| FET tyyppi: | P-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | P-Channel 20V 860mA (Ta) 170mW (Ta) Surface Mount SOT-563-6 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 20V |
| Kuvaus: | MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 860mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat NTZS3151PT1H
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
RP1E090XNTCR | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 9A MPT6 | tiedustelu |
 |
NTZS3151PT5G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT-563 | tiedustelu |
|
NTZS3151PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT-563 | tiedustelu |
 |
IXTT36P10 | IXYS | MOSFET P-CH 100V 36A TO-268 | tiedustelu |
 |
IPB45N06S3L-13 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 45A TO-263 | tiedustelu |
 |
IXFH94N30P3 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 94A TO-247 | tiedustelu |
 |
FQP4N90 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 4.2A TO-220 | tiedustelu |
 |
NTE4153NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 915MA SC-89 | tiedustelu |
|
IPB04N03LB | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | tiedustelu |
 |
APT7M120S | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK | tiedustelu |
 |
NVJS4151PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88 | tiedustelu |
 |
SI1473DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6 | tiedustelu |
 |
NVMFS5C612NLT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 36A SO8FL | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog