Ostaa SI1539CDL-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SI1539CDL-T1-GE3
- Osa numero:
- SI1539CDL-T1-GE3
- Valmistaja:
- Vishay / Siliconix
- Kuvaus:
- MOSFET N/P-CH 30V SOT363
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18610 Pieces
- Tietolomake:
- SI1539CDL-T1-GE3.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SI1539CDL-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI1539CDL-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | SOT-363 |
| Sarja: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 388 mOhm @ 600mA, 10V |
| Virta - Max: | 340mW |
| Pakkaus: | Original-Reel® |
| Pakkaus / Case: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Muut nimet: | SI1539CDL-T1-GE3DKR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 24 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | SI1539CDL-T1-GE3 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 28pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.5nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N and P-Channel |
| FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 700mA, 500mA 340mW Surface Mount SOT-363 |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Kuvaus: | MOSFET N/P-CH 30V SOT363 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 700mA, 500mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SI1539CDL-T1-GE3
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
SI1926DL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363 | tiedustelu |
|
SI1539DL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V SC70-6 | tiedustelu |
 |
AUIRF7304QTR | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC | tiedustelu |
 |
NVMFD5489NLWFT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8 | tiedustelu |
|
SI1539DL-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V SC70-6 | tiedustelu |
|
SI1972DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6 | tiedustelu |
 |
DMN3008SFGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI | tiedustelu |
 |
DMP3098LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 30V 4.4A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
CMLDM7003TG TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563 | tiedustelu |
 |
SI7946DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog