Ostaa SI1539DL-T1-E3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SI1539DL-T1-E3
- Osa numero:
- SI1539DL-T1-E3
- Valmistaja:
- Vishay / Siliconix
- Kuvaus:
- MOSFET N/P-CH 30V SC70-6
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19672 Pieces
- Tietolomake:
- SI1539DL-T1-E3.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SI1539DL-T1-E3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI1539DL-T1-E3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.6V @ 250µA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | SC-70-6 (SOT-363) |
| Sarja: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 480 mOhm @ 590mA, 10V |
| Virta - Max: | 270mW |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Muut nimet: | SI1539DL-T1-E3TR SI1539DLT1E3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | SI1539DL-T1-E3 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.4nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N and P-Channel |
| FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 540mA, 420mA 270mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363) |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Kuvaus: | MOSFET N/P-CH 30V SC70-6 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 540mA, 420mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SI1539DL-T1-E3
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
19MT050XF | Vishay Semiconductor Diodes Division | MOSFET 4N-CH 500V 31A MTP | tiedustelu |
 |
ALD1106SBL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC | tiedustelu |
 |
SI1539CDL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V SOT363 | tiedustelu |
 |
SP8J65TB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC | tiedustelu |
|
SI4992EY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 75V 3.6A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
UP04878G0L | Panasonic Electronic Components | MOSFET 2N-CH 50V .1A SSMINI-6 | tiedustelu |
 |
EFC6611R-A-TF | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 12V 27A EFCP | tiedustelu |
|
SI4933DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
FMM110-015X2F | IXYS | MOSFET 2N-CH 150V 53A I4-PAC | tiedustelu |
|
SI1539DL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V SC70-6 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog