SI2334DS-T1-GE3
Osa numero:
SI2334DS-T1-GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16981 Pieces
Tietolomake:
SI2334DS-T1-GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SI2334DS-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI2334DS-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SI2334DS-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:SOT-23-3 (TO-236)
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:44 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Tehonkulutus (Max):1.3W (Ta), 1.7W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Muut nimet:SI2334DS-T1-GE3TR
SI2334DST1GE3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:24 Weeks
Valmistajan osanumero:SI2334DS-T1-GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:634pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 4.5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 4.9A (Tc) 1.3W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:4.9A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit