Ostaa SI3529DV-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SI3529DV-T1-GE3
- Osa numero:
- SI3529DV-T1-GE3
- Valmistaja:
- Vishay / Siliconix
- Kuvaus:
- MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13677 Pieces
- Tietolomake:
- SI3529DV-T1-GE3.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SI3529DV-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI3529DV-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | 6-TSOP |
| Sarja: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 125 mOhm @ 2.2A, 10V |
| Virta - Max: | 1.4W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | SI3529DV-T1-GE3 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 205pF @ 20V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 7nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N and P-Channel |
| FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array N and P-Channel 40V 2.5A, 1.95A 1.4W Surface Mount 6-TSOP |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 40V |
| Kuvaus: | MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 2.5A, 1.95A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SI3529DV-T1-GE3
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF7306TR | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
FDS6910 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC | tiedustelu |
 |
SI6973DQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8TSSOP | tiedustelu |
 |
STL8DN10LF3 | STMicroelectronics | MOSFET 2N-CH 100V 20A 5X6 | tiedustelu |
 |
SI3529DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP | tiedustelu |
 |
UT6MA3TCR | Rohm Semiconductor | 20V NCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET | tiedustelu |
 |
FDMB3800N | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 4.8A MICROFET | tiedustelu |
 |
GWM160-0055X1-SL | IXYS | MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS | tiedustelu |
 |
SI7212DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8 | tiedustelu |
 |
IPG20N04S4L07AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | tiedustelu |
 |
NTLLD4901NFTWG | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A WDFN8 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog