Ostaa SI3529DV-T1-E3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
---|---|
Toimittaja Device Package: | 6-TSOP |
Sarja: | TrenchFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 125 mOhm @ 2.2A, 10V |
Virta - Max: | 1.4W |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | SI3529DV-T1-E3 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 205pF @ 20V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 7nC @ 10V |
FET tyyppi: | N and P-Channel |
FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array N and P-Channel 40V 2.5A, 1.95A 1.4W Surface Mount 6-TSOP |
Valua lähde jännite (Vdss): | 40V |
Kuvaus: | MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 2.5A, 1.95A |
Email: | [email protected] |