Ostaa ZXMN6A25DN8TA BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
ZXMN6A25DN8TA
- Osa numero:
- ZXMN6A25DN8TA
- Valmistaja:
- Diodes Incorporated
- Kuvaus:
- MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18759 Pieces
- Tietolomake:
- ZXMN6A25DN8TA.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä ZXMN6A25DN8TA, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma ZXMN6A25DN8TA sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA (Min) |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | 8-SOP |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 50 mOhm @ 3.6A, 10V |
| Virta - Max: | 1.8W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Muut nimet: | ZXMN6A25DN8TR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 10 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | ZXMN6A25DN8TA |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1063pF @ 30V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 20.4nC @ 10V |
| FET tyyppi: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3.8A 1.8W Surface Mount 8-SOP |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
| Kuvaus: | MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 3.8A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat ZXMN6A25DN8TA
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
ZXMN6A08E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6 | tiedustelu |
 |
ZXMN6A25G | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223 | tiedustelu |
|
ZXMN6A08GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223 | tiedustelu |
 |
ZXMN6A25K | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 7A DPAK | tiedustelu |
|
ZXMN6A25KTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V DPAK | tiedustelu |
 |
ZXMN6A09DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC | tiedustelu |
|
ZXMN6A25N8TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 8SO | tiedustelu |
|
ZXMN6A25GTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V SOT223 | tiedustelu |
 |
ZXMN6A07ZTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT-89 | tiedustelu |
|
ZXMN6A08E6QTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6 | tiedustelu |
|
ZXMN6A08KTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK | tiedustelu |
|
ZXMN6A11GTC | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog