ZXMN6A08E6TA
ZXMN6A08E6TA
Osa numero:
ZXMN6A08E6TA
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19969 Pieces
Tietolomake:
ZXMN6A08E6TA.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä ZXMN6A08E6TA, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma ZXMN6A08E6TA sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa ZXMN6A08E6TA BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:SOT-26
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:80 mOhm @ 4.8A, 10V
Tehonkulutus (Max):1.1W (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:SOT-23-6
Muut nimet:ZXMN6A08E6TR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:10 Weeks
Valmistajan osanumero:ZXMN6A08E6TA
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:459pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:5.8nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 60V 2.8A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-26
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):60V
Kuvaus:MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:2.8A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit