SI4390DY-T1-E3
Osa numero:
SI4390DY-T1-E3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17920 Pieces
Tietolomake:
SI4390DY-T1-E3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SI4390DY-T1-E3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI4390DY-T1-E3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SI4390DY-T1-E3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.8V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:8-SO
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:9.5 mOhm @ 12.5A, 10V
Tehonkulutus (Max):1.4W (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:24 Weeks
Valmistajan osanumero:SI4390DY-T1-E3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 4.5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 8.5A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SO
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:8.5A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit