Ostaa SI4390DY-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.8V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | 8-SO |
Sarja: | TrenchFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 9.5 mOhm @ 12.5A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 1.4W (Ta) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 24 Weeks |
Valmistajan osanumero: | SI4390DY-T1-GE3 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 15nC @ 4.5V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 30V 8.5A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SO |
Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 8.5A (Ta) |
Email: | [email protected] |