Ostaa SI4650DY-T1-E3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 1mA |
---|---|
Toimittaja Device Package: | 8-SO |
Sarja: | TrenchFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 18 mOhm @ 8A, 10V |
Virta - Max: | 3.1W |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Muut nimet: | SI4650DY-T1-E3TR SI4650DYT1E3 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | SI4650DY-T1-E3 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1550pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 40nC @ 10V |
FET tyyppi: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET Ominaisuus: | Standard |
Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO |
Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
Kuvaus: | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 8A |
Email: | [email protected] |