Ostaa SI4650DY-T1-E3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SI4650DY-T1-E3
- Osa numero:
- SI4650DY-T1-E3
- Valmistaja:
- Vishay / Siliconix
- Kuvaus:
- MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 12589 Pieces
- Tietolomake:
- SI4650DY-T1-E3.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SI4650DY-T1-E3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI4650DY-T1-E3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 1mA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | 8-SO |
| Sarja: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 18 mOhm @ 8A, 10V |
| Virta - Max: | 3.1W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Muut nimet: | SI4650DY-T1-E3TR SI4650DYT1E3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | SI4650DY-T1-E3 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1550pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 40nC @ 10V |
| FET tyyppi: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Ominaisuus: | Standard |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Kuvaus: | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 8A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SI4650DY-T1-E3
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
CMLDM7002AG TR | Central Semiconductor Corp | MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563 | tiedustelu |
 |
SI4654DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
TT8K2TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 2.5A TSST8 | tiedustelu |
|
SI4654DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
DMC3026LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/6.2A 8SO | tiedustelu |
 |
APTM100A40FT1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1 | tiedustelu |
 |
IRF9953TR | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
FDMS3606AS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A PWR56 | tiedustelu |
 |
SSM6N7002CFU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 0.17A US6 | tiedustelu |
|
SI4501BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC | tiedustelu |
 |
DMC2700UDM-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 20V SOT26 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog