SI4818DY-T1-GE3
Osa numero:
SI4818DY-T1-GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19512 Pieces
Tietolomake:
SI4818DY-T1-GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SI4818DY-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI4818DY-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SI4818DY-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:800mV @ 250µA (Min)
Toimittaja Device Package:8-SO
Sarja:LITTLE FOOT®
RDS (Max) @ Id, Vgs:22 mOhm @ 6.3A, 10V
Virta - Max:1W, 1.25W
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:SI4818DY-T1-GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 5V
FET tyyppi:2 N-Channel (Dual)
FET Ominaisuus:Logic Level Gate
Laajennettu kuvaus:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.3A, 7A 1W, 1.25W Surface Mount 8-SO
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:5.3A, 7A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit