SI4823DY-T1-GE3
Osa numero:
SI4823DY-T1-GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14550 Pieces
Tietolomake:
SI4823DY-T1-GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SI4823DY-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI4823DY-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SI4823DY-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:8-SO
Sarja:LITTLE FOOT®
RDS (Max) @ Id, Vgs:108 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Tehonkulutus (Max):1.7W (Ta), 2.8W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Muut nimet:SI4823DY-T1-GE3TR
SI4823DYT1GE3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:24 Weeks
Valmistajan osanumero:SI4823DY-T1-GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:660pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 10V
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:Schottky Diode (Isolated)
Laajennettu kuvaus:P-Channel 20V 4.1A (Tc) 1.7W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount 8-SO
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Valua lähde jännite (Vdss):20V
Kuvaus:MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:4.1A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit