SI4953ADY-T1-E3
Osa numero:
SI4953ADY-T1-E3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET 2P-CH 30V 3.7A 8-SOIC
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14611 Pieces
Tietolomake:
SI4953ADY-T1-E3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SI4953ADY-T1-E3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI4953ADY-T1-E3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SI4953ADY-T1-E3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA (Min)
Toimittaja Device Package:8-SO
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:53 mOhm @ 4.9A, 10V
Virta - Max:1.1W
Pakkaus:Original-Reel®
Pakkaus / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Muut nimet:SI4953ADY-T1-E3DKR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:SI4953ADY-T1-E3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 10V
FET tyyppi:2 P-Channel (Dual)
FET Ominaisuus:Logic Level Gate
Laajennettu kuvaus:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 3.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET 2P-CH 30V 3.7A 8-SOIC
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:3.7A
Email:sales@bychips.com

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit
Loading...