Ostaa SI4953ADY-T1-E3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA (Min) |
---|---|
Toimittaja Device Package: | 8-SO |
Sarja: | TrenchFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 53 mOhm @ 4.9A, 10V |
Virta - Max: | 1.1W |
Pakkaus: | Original-Reel® |
Pakkaus / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Muut nimet: | SI4953ADY-T1-E3DKR |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | SI4953ADY-T1-E3 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
FET tyyppi: | 2 P-Channel (Dual) |
FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 3.7A 1.1W Surface Mount 8-SO |
Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
Kuvaus: | MOSFET 2P-CH 30V 3.7A 8-SOIC |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 3.7A |
Email: | sales@bychips.com |