Ostaa SIA517DJ-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SIA517DJ-T1-GE3
- Osa numero:
- SIA517DJ-T1-GE3
- Valmistaja:
- Vishay / Siliconix
- Kuvaus:
- MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 15299 Pieces
- Tietolomake:
- SIA517DJ-T1-GE3.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SIA517DJ-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SIA517DJ-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Sarja: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 29 mOhm @ 5A, 4.5V |
| Virta - Max: | 6.5W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Muut nimet: | SIA517DJ-T1-GE3TR SIA517DJT1GE3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 24 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | SIA517DJ-T1-GE3 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 500pF @ 6V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 15nC @ 8V |
| FET tyyppi: | N and P-Channel |
| FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array N and P-Channel 12V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 12V |
| Kuvaus: | MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 4.5A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SIA517DJ-T1-GE3
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
SIA513DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6 | tiedustelu |
 |
APTMC60TLM55CT3AG | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 1200V 55A SP3F | tiedustelu |
 |
FDG6320C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 25V SC70-6 | tiedustelu |
 |
SI7942DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8 | tiedustelu |
|
SIA519EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6 | tiedustelu |
|
SIA511DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6 | tiedustelu |
 |
PMDPB42UN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6 | tiedustelu |
 |
SQJB80EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2N-CH 80V SO8 | tiedustelu |
 |
SP8J2TB | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
SI1029X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 60V SC89-6 | tiedustelu |
|
SI6993DQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8TSSOP | tiedustelu |
 |
AO4832 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog