Ostaa SIA519EDJ-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SIA519EDJ-T1-GE3
- Osa numero:
- SIA519EDJ-T1-GE3
- Valmistaja:
- Vishay / Siliconix
- Kuvaus:
- MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18449 Pieces
- Tietolomake:
- SIA519EDJ-T1-GE3.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SIA519EDJ-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SIA519EDJ-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.4V @ 250µA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Sarja: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V |
| Virta - Max: | 7.8W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Muut nimet: | SIA519EDJ-T1-GE3TR SIA519EDJT1GE3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 24 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | SIA519EDJ-T1-GE3 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 350pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N and P-Channel |
| FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 20V |
| Kuvaus: | MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 4.5A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SIA519EDJ-T1-GE3
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
NTL4502NT1 | ON Semiconductor | MOSFET 4N-CH 24V 11.4A 16PIN | tiedustelu |
 |
PMDXB600UNEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN | tiedustelu |
 |
SIA513DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6 | tiedustelu |
 |
ZXMD65P02N8TC | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC | tiedustelu |
 |
SI4539ADY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
VEC2415-TL-W | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 3A VEC8 | tiedustelu |
|
SIA517DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6 | tiedustelu |
 |
IRF7901D1TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC | tiedustelu |
 |
NTJD2152PT4G | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363 | tiedustelu |
|
SIA511DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6 | tiedustelu |
 |
FDZ2553NZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 9.6A BGA | tiedustelu |
 |
SI7218DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog