Ostaa SIA513DJ-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SIA513DJ-T1-GE3
- Osa numero:
- SIA513DJ-T1-GE3
- Valmistaja:
- Vishay / Siliconix
- Kuvaus:
- MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14963 Pieces
- Tietolomake:
- SIA513DJ-T1-GE3.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SIA513DJ-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SIA513DJ-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Sarja: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 60 mOhm @ 3.4A, 4.5V |
| Virta - Max: | 6.5W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Muut nimet: | SIA513DJ-T1-GE3TR SIA513DJT1GE3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | SIA513DJ-T1-GE3 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 360pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N and P-Channel |
| FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 20V |
| Kuvaus: | MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 4.5A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SIA513DJ-T1-GE3
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
SI4501ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC | tiedustelu |
 |
SIA519EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6 | tiedustelu |
 |
BSO615CT | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC | tiedustelu |
|
SIA517DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6 | tiedustelu |
|
SIA511DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6 | tiedustelu |
 |
TT8J13TCR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 12V 2.5A TSST8 | tiedustelu |
 |
DMG6602SVTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V TSOT26 | tiedustelu |
 |
APTC60VDAM24T3G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3 | tiedustelu |
 |
EM6M1T2R | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6 | tiedustelu |
 |
MCH6605-TL-E | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 50V 0.14A MCPH6 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog