Ostaa SI5479DU-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PowerPAK® ChipFet Single |
Sarja: | TrenchFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 21 mOhm @ 6.9A, 4.5V |
Tehonkulutus (Max): | 3.1W (Ta), 17.8W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | PowerPAK® ChipFET™ Single |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | SI5479DU-T1-GE3 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1810pF @ 6V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 51nC @ 8V |
FET tyyppi: | P-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | P-Channel 12V 16A (Tc) 3.1W (Ta), 17.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFet Single |
Valua lähde jännite (Vdss): | 12V |
Kuvaus: | MOSFET P-CH 12V 16A CHIPFET |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 16A (Tc) |
Email: | [email protected] |