SI5999EDU-T1-GE3
SI5999EDU-T1-GE3
Osa numero:
SI5999EDU-T1-GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19810 Pieces
Tietolomake:
SI5999EDU-T1-GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SI5999EDU-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI5999EDU-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SI5999EDU-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Toimittaja Device Package:PowerPAK® ChipFet Dual
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:59 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Virta - Max:10.4W
Pakkaus:Original-Reel®
Pakkaus / Case:PowerPAK® ChipFET™ Dual
Muut nimet:SI5999EDU-T1-GE3DKR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:24 Weeks
Valmistajan osanumero:SI5999EDU-T1-GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:496pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
FET tyyppi:2 P-Channel (Dual)
FET Ominaisuus:Logic Level Gate
Laajennettu kuvaus:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual
Valua lähde jännite (Vdss):20V
Kuvaus:MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:6A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit