SI6413DQ-T1-GE3
Osa numero:
SI6413DQ-T1-GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
13502 Pieces
Tietolomake:
SI6413DQ-T1-GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SI6413DQ-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI6413DQ-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SI6413DQ-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:800mV @ 400µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:8-TSSOP
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:10 mOhm @ 8.8A, 4.5V
Tehonkulutus (Max):1.05W (Ta)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:SI6413DQ-T1-GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:105nC @ 5V
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:P-Channel 20V 7.2A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Valua lähde jännite (Vdss):20V
Kuvaus:MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:7.2A (Ta)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit