Ostaa SI6459BDQ-T1-E3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | 8-TSSOP |
Sarja: | TrenchFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 115 mOhm @ 2.7A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 1W (Ta) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Muut nimet: | SI6459BDQ-T1-E3TR |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | SI6459BDQ-T1-E3 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 22nC @ 10V |
FET tyyppi: | P-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | P-Channel 60V 2.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP |
Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
Kuvaus: | MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 2.2A (Ta) |
Email: | [email protected] |