Ostaa SI7623DN-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±12V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PowerPAK® 1212-8 |
Sarja: | TrenchFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 3.8 mOhm @ 20A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | PowerPAK® 1212-8 |
Muut nimet: | SI7623DN-T1-GE3TR SI7623DNT1GE3 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 24 Weeks |
Valmistajan osanumero: | SI7623DN-T1-GE3 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 5460pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 180nC @ 10V |
FET tyyppi: | P-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | P-Channel 20V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 20V |
Kuvaus: | MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 35A (Tc) |
Email: | [email protected] |