SI7922DN-T1-GE3
SI7922DN-T1-GE3
Osa numero:
SI7922DN-T1-GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16512 Pieces
Tietolomake:
SI7922DN-T1-GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SI7922DN-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI7922DN-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SI7922DN-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 250µA
Toimittaja Device Package:PowerPAK® 1212-8 Dual
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:195 mOhm @ 2.5A, 10V
Virta - Max:1.3W
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:PowerPAK® 1212-8 Dual
Muut nimet:SI7922DN-T1-GE3TR
SI7922DNT1GE3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:24 Weeks
Valmistajan osanumero:SI7922DN-T1-GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:8nC @ 10V
FET tyyppi:2 N-Channel (Dual)
FET Ominaisuus:Logic Level Gate
Laajennettu kuvaus:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1.8A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:1.8A
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit