Ostaa SSM6N7002BFE(T5L,F BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SSM6N7002BFE(T5L,F
- Osa numero:
- SSM6N7002BFE(T5L,F
- Valmistaja:
- Toshiba Semiconductor
- Kuvaus:
- MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 18846 Pieces
- Tietolomake:
- 1.SSM6N7002BFE(T5L,F.pdf2.SSM6N7002BFE(T5L,F.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SSM6N7002BFE(T5L,F, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SSM6N7002BFE(T5L,F sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.1V @ 250µA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | ES6 (1.6x1.6) |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 2.1 Ohm @ 500mA, 10V |
| Virta - Max: | 150mW |
| Pakkaus: | Original-Reel® |
| Pakkaus / Case: | SOT-563, SOT-666 |
| Muut nimet: | SSM6N7002BFE(T5LFDKR |
| Käyttölämpötila: | 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | SSM6N7002BFE(T5L,F |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 17pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| FET tyyppi: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 200mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6) |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
| Kuvaus: | MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 200mA |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SSM6N7002BFE(T5L,F
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
SSM6N7002BFE,LM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6 | tiedustelu |
 |
SSM6N7002KFU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 0.3A | tiedustelu |
|
SSM6N7002CFU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 0.17A US6 | tiedustelu |
 |
SSM6N7002BFU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6 | tiedustelu |
|
SSM6N7002BFU(T5L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog