SSM6N7002BFE,LM
SSM6N7002BFE,LM
Osa numero:
SSM6N7002BFE,LM
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor
Kuvaus:
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19452 Pieces
Tietolomake:
1.SSM6N7002BFE,LM.pdf2.SSM6N7002BFE,LM.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SSM6N7002BFE,LM, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SSM6N7002BFE,LM sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SSM6N7002BFE,LM BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3.1V @ 250µA
Toimittaja Device Package:ES6
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:2.1 Ohm @ 500mA, 10V
Virta - Max:150mW
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:SOT-563, SOT-666
Muut nimet:SSM6N7002BFE,LM(B
SSM6N7002BFE,LM(T
SSM6N7002BFELMTR
Käyttölämpötila:150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:16 Weeks
Valmistajan osanumero:SSM6N7002BFE,LM
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:17pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:-
FET tyyppi:2 N-Channel (Dual)
FET Ominaisuus:Logic Level Gate
Laajennettu kuvaus:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 200mA 150mW Surface Mount ES6
Valua lähde jännite (Vdss):60V
Kuvaus:MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:200mA
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit