Ostaa SI9936DY,518 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SI9936DY,518
- Osa numero:
- SI9936DY,518
- Valmistaja:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Kuvaus:
- MOSFET 2N-CH 30V 5A SOT96-1
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 14873 Pieces
- Tietolomake:
- SI9936DY,518.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SI9936DY,518, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SI9936DY,518 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | 8-SO |
| Sarja: | TrenchMOS™ |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 50 mOhm @ 5A, 10V |
| Virta - Max: | 900mW |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Muut nimet: | 934056385518 SI9936DY /T3 SI9936DY /T3-ND |
| Käyttölämpötila: | 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 2 (1 Year) |
| Valmistajan osanumero: | SI9936DY,518 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 35nC @ 10V |
| FET tyyppi: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5A 900mW Surface Mount 8-SO |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Kuvaus: | MOSFET 2N-CH 30V 5A SOT96-1 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 5A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SI9936DY,518
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
SI7960DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8 | tiedustelu |
 |
SIB900EDK-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6 | tiedustelu |
 |
APTC80AM75SCG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 800V 56A SP6 | tiedustelu |
 |
ALD210802SCL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC | tiedustelu |
 |
APTC60AM18SCG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 143A SP6 | tiedustelu |
|
APTML202UM18R010T3AG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 200V 109A SP3 | tiedustelu |
 |
SI1028X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V SC89-6 | tiedustelu |
 |
DMN2041LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 7.63A 8SO | tiedustelu |
 |
IRF7757TR | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 4.8A TSSOP-8 | tiedustelu |
|
ZXMD65N03N8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC | tiedustelu |
|
FDS9945 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SO | tiedustelu |
|
IRF6702M2DTR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog