SIA461DJ-T1-GE3
SIA461DJ-T1-GE3
Osa numero:
SIA461DJ-T1-GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
16717 Pieces
Tietolomake:
SIA461DJ-T1-GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SIA461DJ-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SIA461DJ-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SIA461DJ-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PowerPAK® SC-70-6 Single
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:33 mOhm @ 5.2A, 4.5V
Tehonkulutus (Max):3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:PowerPAK® SC-70-6
Muut nimet:SIA461DJ-T1-GE3TR
SIA461DJT1GE3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:24 Weeks
Valmistajan osanumero:SIA461DJ-T1-GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1300pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:45nC @ 8V
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:P-Channel 20V 12A (Tc) 3.4W (Ta), 17.9W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Valua lähde jännite (Vdss):20V
Kuvaus:MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit