Ostaa SIA936EDJ-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SIA936EDJ-T1-GE3
- Osa numero:
- SIA936EDJ-T1-GE3
- Valmistaja:
- Vishay / Siliconix
- Kuvaus:
- MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC-70
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 15941 Pieces
- Tietolomake:
- SIA936EDJ-T1-GE3.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SIA936EDJ-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SIA936EDJ-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.3V @ 250µA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Sarja: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 34 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Virta - Max: | 7.8W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Muut nimet: | SIA936EDJ-T1-GE3TR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan osanumero: | SIA936EDJ-T1-GE3 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 17nC @ 10V |
| FET tyyppi: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 20V |
| Kuvaus: | MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC-70 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 4.5A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SIA936EDJ-T1-GE3
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
SI7900AEDN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8 | tiedustelu |
 |
IRF9953 | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
SI7949DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8 | tiedustelu |
 |
EMH2314-TL-H | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 12V 5A EMH8 | tiedustelu |
 |
MCH6664-TL-W | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 1.5A SOT363 | tiedustelu |
 |
SI5903DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8 | tiedustelu |
 |
SIA931DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6L | tiedustelu |
 |
IRF7751TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8TSSOP | tiedustelu |
 |
DMC1028UFDB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 12V/20V 6UDFN | tiedustelu |
 |
DMC1015UPD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 8V 24V POWERDI5060-8 | tiedustelu |
 |
DMTH6016LSDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET ARRAY N-CH 60V 7.6A 8SOIC | tiedustelu |
|
AO4801AL_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC | tiedustelu |
|
SIA911DJ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog