Ostaa SIA975DJ-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SIA975DJ-T1-GE3
- Osa numero:
- SIA975DJ-T1-GE3
- Valmistaja:
- Vishay / Siliconix
- Kuvaus:
- MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC-70-6
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 13860 Pieces
- Tietolomake:
- SIA975DJ-T1-GE3.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SIA975DJ-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SIA975DJ-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Toimittaja Device Package: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Sarja: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 41 mOhm @ 4.3A, 4.5V |
| Virta - Max: | 7.8W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Muut nimet: | SIA975DJ-T1-GE3TR SIA975DJT1GE3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 24 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | SIA975DJ-T1-GE3 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1500pF @ 6V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 26nC @ 8V |
| FET tyyppi: | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Ominaisuus: | Logic Level Gate |
| Laajennettu kuvaus: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 12V |
| Kuvaus: | MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC-70-6 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 4.5A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SIA975DJ-T1-GE3
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
AON6971 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 23A/40A 8DFN | tiedustelu |
 |
SM6K2T110 | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457 | tiedustelu |
 |
IPG20N04S412ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | tiedustelu |
 |
STS4C3F60L | STMicroelectronics | MOSFET N/P-CH 60V 4A/3A 8SOIC | tiedustelu |
 |
NTZD3154NT2G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 | tiedustelu |
 |
IRF7105QTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC | tiedustelu |
 |
APTM10HM09FT3G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3 | tiedustelu |
 |
TT8J2TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 2.5A TSST8 | tiedustelu |
|
IRF7328TR | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC | tiedustelu |
 |
ALD114813PCL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP | tiedustelu |
 |
ZXMN2A04DN8TC | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC | tiedustelu |
 |
FDG6301N_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6 | tiedustelu |
 |
STL20DNF06LAG | STMicroelectronics | MOSFET 2NCH 60V 20A POWERFLAT | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog