SIHB12N65E-GE3
SIHB12N65E-GE3
Osa numero:
SIHB12N65E-GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17944 Pieces
Tietolomake:
SIHB12N65E-GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SIHB12N65E-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SIHB12N65E-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SIHB12N65E-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:D²PAK (TO-263)
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:380 mOhm @ 6A, 10V
Tehonkulutus (Max):156W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:19 Weeks
Valmistajan osanumero:SIHB12N65E-GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1224pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:70nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 650V 12A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Valua lähde jännite (Vdss):650V
Kuvaus:MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit