SIHB15N50E-GE3
SIHB15N50E-GE3
Osa numero:
SIHB15N50E-GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-263
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12349 Pieces
Tietolomake:
SIHB15N50E-GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SIHB15N50E-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SIHB15N50E-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SIHB15N50E-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:D²PAK (TO-263)
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:280 mOhm @ 7.5A, 10V
Tehonkulutus (Max):156W (Tc)
Pakkaus:Bulk
Pakkaus / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:19 Weeks
Valmistajan osanumero:SIHB15N50E-GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1162pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:66nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 500V 14.5A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):500V
Kuvaus:MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-263
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:14.5A (Tc)
Email:sales@bychips.com

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit
Loading...