Ostaa SIHG33N60EF-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SIHG33N60EF-GE3
- Osa numero:
- SIHG33N60EF-GE3
- Valmistaja:
- Vishay / Siliconix
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 15187 Pieces
- Tietolomake:
- SIHG33N60EF-GE3.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SIHG33N60EF-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SIHG33N60EF-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | TO-247AC |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 98 mOhm @ 16.5A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 278W (Tc) |
| Pakkaus: | Tube |
| Pakkaus / Case: | TO-247-3 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Through Hole |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 22 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | SIHG33N60EF-GE3 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 3454pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 155nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 600V 33A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-247AC |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 600V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 33A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SIHG33N60EF-GE3
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
SIHG32N50D-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC | tiedustelu |
|
SIHG32N50D-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC | tiedustelu |
|
SIHG33N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC | tiedustelu |
|
SIHG33N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC | tiedustelu |
 |
BSS340NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | SMALL SIGNAL+P-CH | tiedustelu |
 |
FQD12N20LTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9A DPAK | tiedustelu |
|
SIHG30N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC | tiedustelu |
 |
FQB7N30TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 300V 7A D2PAK | tiedustelu |
|
SIHG35N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC | tiedustelu |
|
SIHG33N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 31.6A TO-247AC | tiedustelu |
 |
NVMFS6B03NWFT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 132A SO8FL | tiedustelu |
|
SIHG30N60E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC | tiedustelu |
 |
IXTP3N110 | IXYS | MOSFET N-CH 1100V 3A TO-220 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog