SIHG35N60E-GE3
SIHG35N60E-GE3
Osa numero:
SIHG35N60E-GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19700 Pieces
Tietolomake:
SIHG35N60E-GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SIHG35N60E-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SIHG35N60E-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SIHG35N60E-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-247AC
Sarja:E
RDS (Max) @ Id, Vgs:94 mOhm @ 17A, 10V
Tehonkulutus (Max):250W (Tc)
Pakkaus / Case:TO-247-3
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:20 Weeks
Valmistajan osanumero:SIHG35N60E-GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2760pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:132nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 600V 32A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):600V
Kuvaus:MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:32A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit