SIHH21N60E-T1-GE3
SIHH21N60E-T1-GE3
Osa numero:
SIHH21N60E-T1-GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 20A POWERPAK8X8
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19271 Pieces
Tietolomake:
SIHH21N60E-T1-GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SIHH21N60E-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SIHH21N60E-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SIHH21N60E-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PowerPAK® 8 x 8
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:176 mOhm @ 11A, 10V
Tehonkulutus (Max):104W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:8-PowerTDFN
Muut nimet:SIHH21N60E-T1-GE3TR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:19 Weeks
Valmistajan osanumero:SIHH21N60E-T1-GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2015pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:83nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 600V 20A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):600V
Kuvaus:MOSFET N-CH 600V 20A POWERPAK8X8
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit