Ostaa SIHH21N60E-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SIHH21N60E-T1-GE3
- Osa numero:
- SIHH21N60E-T1-GE3
- Valmistaja:
- Vishay / Siliconix
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 600V 20A POWERPAK8X8
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 19271 Pieces
- Tietolomake:
- SIHH21N60E-T1-GE3.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SIHH21N60E-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SIHH21N60E-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | PowerPAK® 8 x 8 |
| Sarja: | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 176 mOhm @ 11A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 104W (Tc) |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | 8-PowerTDFN |
| Muut nimet: | SIHH21N60E-T1-GE3TR |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 19 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | SIHH21N60E-T1-GE3 |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2015pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 83nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Laajennettu kuvaus: | N-Channel 600V 20A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8 |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 600V |
| Kuvaus: | MOSFET N-CH 600V 20A POWERPAK8X8 |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 20A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SIHH21N60E-T1-GE3
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
SIHH21N65E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 20.3A PWRPAK8X8 | tiedustelu |
|
SIHH21N65EF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 19.8A POWERPAK | tiedustelu |
 |
SIHH26N60EF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK | tiedustelu |
|
SIHH20N50E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 22A PWRPAK 8X8 | tiedustelu |
|
SIHH28N60E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 29A 8-PWRTDFN | tiedustelu |
|
SIHH21N60EF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 600V 19A POWERPAK | tiedustelu |
|
SIHH24N65E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK | tiedustelu |
 |
CPC3730C | IXYS Integrated Circuits Division | MOSFET N-CH 350V SOT89 | tiedustelu |
|
SIHH26N60E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 25A POWERPAK8X8 | tiedustelu |
|
SIHH24N65EF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK | tiedustelu |
 |
RS3E095BNGZETB | Rohm Semiconductor | NCH 30V 9.5A MIDDLE POWER MOSFET | tiedustelu |
 |
2N7002-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23-3 | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog