SIHH24N65EF-T1-GE3
SIHH24N65EF-T1-GE3
Osa numero:
SIHH24N65EF-T1-GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17808 Pieces
Tietolomake:
SIHH24N65EF-T1-GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SIHH24N65EF-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SIHH24N65EF-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SIHH24N65EF-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PowerPAK® 8 x 8
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:158 mOhm @ 12A, 10V
Tehonkulutus (Max):202W (Tc)
Pakkaus:Original-Reel®
Pakkaus / Case:8-PowerTDFN
Muut nimet:SiHH24N65EF-T1-GE3DKR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:20 Weeks
Valmistajan osanumero:SIHH24N65EF-T1-GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2780pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 650V 23A (Tc) 202W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):10V
Valua lähde jännite (Vdss):650V
Kuvaus:MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:23A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit