SIHU6N62E-GE3
SIHU6N62E-GE3
Osa numero:
SIHU6N62E-GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET N-CH 620V 6A TO-251
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
12772 Pieces
Tietolomake:
SIHU6N62E-GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SIHU6N62E-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SIHU6N62E-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SIHU6N62E-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:IPAK (TO-251)
Sarja:-
RDS (Max) @ Id, Vgs:900 mOhm @ 3A, 10V
Tehonkulutus (Max):78W (Tc)
Pakkaus:Tube
Pakkaus / Case:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:19 Weeks
Valmistajan osanumero:SIHU6N62E-GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:578pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:34nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 620V 6A (Tc) 78W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Valua lähde jännite (Vdss):620V
Kuvaus:MOSFET N-CH 620V 6A TO-251
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit