SUD50N03-09P-E3
SUD50N03-09P-E3
Osa numero:
SUD50N03-09P-E3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V 63A TO252
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
14907 Pieces
Tietolomake:
SUD50N03-09P-E3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SUD50N03-09P-E3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SUD50N03-09P-E3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SUD50N03-09P-E3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-252, (D-Pak)
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:9.5 mOhm @ 20A, 10V
Tehonkulutus (Max):7.5W (Ta), 65.2W (Tc)
Pakkaus:Original-Reel®
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet:SUD50N03-09P-E3DKR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:15 Weeks
Valmistajan osanumero:SUD50N03-09P-E3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:2200pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 4.5V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 63A (Tc) 7.5W (Ta), 65.2W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V 63A TO252
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:63A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit