SUD50N03-12P-E3
SUD50N03-12P-E3
Osa numero:
SUD50N03-12P-E3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET N-CH 30V TO252
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
15870 Pieces
Tietolomake:
SUD50N03-12P-E3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SUD50N03-12P-E3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SUD50N03-12P-E3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SUD50N03-12P-E3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:TO-252, (D-Pak)
Sarja:TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:12 mOhm @ 20A, 10V
Tehonkulutus (Max):6.5W (Ta), 46.8W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan osanumero:SUD50N03-12P-E3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1600pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:42nC @ 10V
FET tyyppi:N-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:N-Channel 30V 6.5W (Ta), 46.8W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Valua lähde jännite (Vdss):30V
Kuvaus:MOSFET N-CH 30V TO252
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit