Ostaa SIR438DP-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.3V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PowerPAK® SO-8 |
Sarja: | TrenchFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 1.8 mOhm @ 20A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 5.4W (Ta), 83W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | PowerPAK® SO-8 |
Muut nimet: | SIR438DP-T1-GE3-ND SIR438DP-T1-GE3TR SIR438DPT1GE3 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 15 Weeks |
Valmistajan osanumero: | SIR438DP-T1-GE3 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 4560pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 105nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 25V 60A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 25V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 60A (Tc) |
Email: | sales@bychips.com |