Ostaa SIS414DN-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±12V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PowerPAK® 1212-8 |
Sarja: | TrenchFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 16 mOhm @ 10A, 4.5V |
Tehonkulutus (Max): | 3.4W (Ta), 31W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | PowerPAK® 1212-8 |
Muut nimet: | SIS414DN-T1-GE3TR SIS414DNT1GE3 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 24 Weeks |
Valmistajan osanumero: | SIS414DN-T1-GE3 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 795pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 33nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 30V 20A (Tc) 3.4W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAK |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 20A (Tc) |
Email: | [email protected] |