SISS71DN-T1-GE3
Osa numero:
SISS71DN-T1-GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET P-CH 100V 23A 1212-8
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
19155 Pieces
Tietolomake:
SISS71DN-T1-GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SISS71DN-T1-GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SISS71DN-T1-GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SISS71DN-T1-GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PowerPAK® 1212-8
Sarja:ThunderFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:59 mOhm @ 5A, 10V
Tehonkulutus (Max):57W (Tc)
Pakkaus:Original-Reel®
Pakkaus / Case:PowerPAK® 1212-8
Muut nimet:SISS71DN-T1-GE3DKR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:16 Weeks
Valmistajan osanumero:SISS71DN-T1-GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:1050pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 4.5V
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:P-Channel 100V 23A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss):100V
Kuvaus:MOSFET P-CH 100V 23A 1212-8
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:23A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit