Ostaa SKB02N120ATMA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
SKB02N120ATMA1
- Osa numero:
- SKB02N120ATMA1
- Kuvaus:
- IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3-2
- Lyijytön tila / RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Saatavana oleva määrä:
- 12680 Pieces
- Tietolomake:
- SKB02N120ATMA1.pdf
esittely
BYCHIPS on tukkumyyjä SKB02N120ATMA1, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SKB02N120ATMA1 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
tekniset tiedot
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max): | 1200V |
|---|---|
| Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: | 3.6V @ 15V, 2A |
| Testaa kunto: | 800V, 2A, 91 Ohm, 15V |
| Td (päällä / pois) @ 25 ° C: | 23ns/260ns |
| Switching Energy: | 220µJ |
| Toimittaja Device Package: | PG-TO263-3-2 |
| Sarja: | - |
| Käänteinen Recovery Time (TRR): | 50ns |
| Virta - Max: | 62W |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Muut nimet: | SKB02N120 SKB02N120-ND SP000012567 |
| Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Valmistajan toimitusaika: | 16 Weeks |
| Valmistajan osanumero: | SKB02N120ATMA1 |
| Syötetyyppi: | Standard |
| IGBT Tyyppi: | NPT |
| Gate Charge: | 11nC |
| Laajennettu kuvaus: | IGBT NPT 1200V 6.2A 62W Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Kuvaus: | IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3-2 |
| Nykyinen - Collector Pulssi (ICM): | 9.6A |
| Nykyinen - Collector (le) (Max): | 6.2A |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat SKB02N120ATMA1
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
GPA040A120L-FD | Global Power Technologies Group | IGBT 1200V 80A 480W TO264 | tiedustelu |
 |
IRG8P40N120KDPBF | Infineon Technologies | IGBT 1200V 60A 305W TO-247AC | tiedustelu |
 |
IXBX75N170A | IXYS | IGBT 1700V 110A 1040W PLUS247 | tiedustelu |
 |
IKW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3 | tiedustelu |
 |
HGTP2N120CN | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 1200V 13A 104W TO220AB | tiedustelu |
 |
IXSP24N60B | IXYS | IGBT 600V 48A 150W TO220AB | tiedustelu |
 |
SKB02N60E3266ATMA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 6A 30W TO263-3 | tiedustelu |
 |
IRGB5B120KDPBF | Infineon Technologies | IGBT 1200V 12A 89W TO220AB | tiedustelu |
 |
FGPF30N30 | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 300V 46W TO220F | tiedustelu |
 |
STGP10H60DF | STMicroelectronics | IGBT 600V 20A 115W TO220 | tiedustelu |
|
SKB02N60ATMA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 6A 30W TO263-3 | tiedustelu |
 |
STGWT80H65FB | STMicroelectronics | IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L | tiedustelu |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers