Ostaa SPP06N60C3HKSA1 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.9V @ 260µA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PG-TO220-3-1 |
Sarja: | CoolMOS™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 750 mOhm @ 3.9A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 74W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-220-3 |
Muut nimet: | SP000014697 SPP06N60C3 SPP06N60C3-ND SPP06N60C3IN SPP06N60C3IN-ND SPP06N60C3X SPP06N60C3XK |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | SPP06N60C3HKSA1 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 620pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 31nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 650V 6.2A (Tc) 74W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
Valua lähde jännite (Vdss): | 650V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 6.2A (Tc) |
Email: | [email protected] |