Ostaa SQ2362ES-T1_GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | SOT-23-3 (TO-236) |
Sarja: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 95 mOhm @ 4.5A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 3W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Muut nimet: | SQ2362ES-T1-GE3 SQ2362ES-T1_GE3-ND SQ2362ES-T1_GE3TR |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 18 Weeks |
Valmistajan osanumero: | SQ2362ES-T1_GE3 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 550pF @ 30V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
FET tyyppi: | P-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | P-Channel 60V 4.3A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 60V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 4.3A (Tc) |
Email: | [email protected] |