Ostaa SQD50N10-8M9L_GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | TO-252 |
Sarja: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 8.9 mOhm @ 15A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 136W (Tc) |
Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
Pakkaus / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Muut nimet: | SQD50N10-8M9L_GE3TR |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Surface Mount |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan toimitusaika: | 18 Weeks |
Valmistajan osanumero: | SQD50N10-8M9L_GE3 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2950pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 70nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 100V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252 |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Valua lähde jännite (Vdss): | 100V |
Kuvaus: | MOSFET N-CHAN 100V TO252 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
Email: | [email protected] |