Ostaa IXFX50N50 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 8mA |
---|---|
teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Toimittaja Device Package: | PLUS247™-3 |
Sarja: | HiPerFET™ |
RDS (Max) @ Id, Vgs: | 100 mOhm @ 25A, 10V |
Tehonkulutus (Max): | 520W (Tc) |
Pakkaus: | Tube |
Pakkaus / Case: | TO-247-3 |
Käyttölämpötila: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi: | Through Hole |
Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
Valmistajan osanumero: | IXFX50N50 |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 9400pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 330nC @ 10V |
FET tyyppi: | N-Channel |
FET Ominaisuus: | - |
Laajennettu kuvaus: | N-Channel 500V 50A (Tc) 520W (Tc) Through Hole PLUS247™-3 |
Valua lähde jännite (Vdss): | 500V |
Kuvaus: | MOSFET N-CH 500V 50A PLUS247 |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
Email: | [email protected] |