SQJ411EP-T1_GE3
SQJ411EP-T1_GE3
Osa numero:
SQJ411EP-T1_GE3
Valmistaja:
Vishay / Siliconix
Kuvaus:
MOSFET P-CH 12V 60A SO8
Lyijytön tila / RoHS-tila:
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Saatavana oleva määrä:
17961 Pieces
Tietolomake:
SQJ411EP-T1_GE3.pdf

esittely

BYCHIPS on tukkumyyjä SQJ411EP-T1_GE3, meillä on varastot välittömään toimitukseen ja myös pitkäaikaiseen toimitukseen. Lähetä meille hankintasuunnitelma SQJ411EP-T1_GE3 sähköpostilla, annamme sinulle parhaan hinnan suunnitelmasi mukaan.
Ostaa SQJ411EP-T1_GE3 BYCHPS: llä
Osta takuun mukaan

tekniset tiedot

Vgs (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
teknologia:MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package:PowerPAK® SO-8
Sarja:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs:5.8 mOhm @ 15A, 4.5V
Tehonkulutus (Max):68W (Tc)
Pakkaus:Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case:PowerPAK® SO-8
Muut nimet:SQJ411EP-T1_GE3TR
Käyttölämpötila:-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi:Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL):1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika:13 Weeks
Valmistajan osanumero:SQJ411EP-T1_GE3
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds:9100pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:150nC @ 4.5V
FET tyyppi:P-Channel
FET Ominaisuus:-
Laajennettu kuvaus:P-Channel 12V 60A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Valua lähde jännite (Vdss):12V
Kuvaus:MOSFET P-CH 12V 60A SO8
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

Nopea Request Quote

Osa numero
Määrä
Yhtiö
Sähköposti
Puhelin
Kommentit